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반도체 개론과 공정
변인수.김동선 지음 / 동일출판사 / 2015년 8월
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품절
다이오드에 사용되고 있는 것은 P타입, N타입이라 하는 전자소자 타입은 반도체 공정으로 만든 불순물 반도체이다. 불순물 반도체는 순수한 반도체와 다르게 물질에 특정한 불순물을 첨가하여 만든 반도체를 말한다. 순수한 반도체는 재료의 순도가 99.99999 ~ 99.999999999%로 정제한 5N ~ 9N 반도체를 말한다. 순수한 반도체로는 실리콘이나 게르마늄이 많이 사용되고 있다. 고순도로 정제된 실리콘 결정은 원자들이 결합하여 대칭적인 패턴으로 배열되는데 이를 공유결합이라 한다.(p37)
대기압 CVD + 저온 CVD는 대기압 CVD 방식에서 반응로가 저온 (low temperature)으로 증착하는 반응로 구조이다... 수평관형은 석영관이 수평형으로 되어 있고 혼합된 반응 기체 가스가 가열된 실리콘 웨이퍼 표면을 지나가면서 증착되는 원리이다... 회전 수직관형은 석영관이 수직으로 되어 있고 실리콘 웨이퍼가 가열 저항체 위에서 회전하는 판(plate) 위에 놓여 있으며 반응 기체 가스는 위와 측면을 통해 유입된다.(p160)
감광액(photoresist) : 자외선 광에 민감한 물질인 감광액을 실리콘 웨이퍼 표면에 고르게 도포시켜 형상을 만들어내는 공정이며 액체 형태의 감광 물질로 실리콘 웨이퍼에 얇게 도포한 후 경화시켜 단단하게 만들어 자외선 광을 노광하여 패턴을 만들게 하는 감광액이다.(p191)
노광(Exposure) : 마스크에 있는 회로 패턴에 자외선 광을 통과시켜 감광액막이 형성된 실리콘 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 노광시키는 공정으로 일반적으로 광은 300 ~ 600 nm의 파장을 갖는 자외선을 사용한다.(p191)
식각 (Etch) : 식각(etch) 은 회로 패턴을 구현하기 위하여 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정이다.(p192)